金屬環(huán)境中低能D(d, p)T反應的研究

近年來一系列實驗表明,金屬環(huán)境中的低能帶電粒子引起的核反應截面與氣體靶中的相比出現(xiàn)明顯增大,這種現(xiàn)象通常被歸結(jié)為電子屏蔽效應. 全面介紹了金屬環(huán)境中D(d, p)T反應電子屏蔽效應的測量方法、數(shù)據(jù)分析和實驗結(jié)果的規(guī)律性,并簡要論述了包括德拜等離子體模型在內(nèi)的各種理論模型對實驗結(jié)果的解釋. 通過研究,可以獲得有關核物理、核天體物理和凝聚態(tài)物理的寶貴知識.

作 者： 呂會議 王鐵山 陳建勇 楊振 劉盛進 方開洪 Lü Hui-yi WANG Tie-shan CHEN Jian-yong YANG Zhen LIU Sheng-jin FANG Kai-hong   作者單位： 蘭州大學核科學與技術學院,甘肅,蘭州,730000  刊 名： 原子核物理評論  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(3)  分類號： O571.4  關鍵詞： 低能核反應   電子屏蔽效應   德拜模型  

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