SiC功率金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的陷阱效應(yīng)模型

針對(duì)4H-SiC射頻大功率MESFET,建立了一個(gè)解析的陷阱效應(yīng)模型,該模型采用簡(jiǎn)化參數(shù)描述方法,并結(jié)合自熱效應(yīng)分析,從理論上完善了SiC MESFET大信號(hào)直流I-V特性的解析模型,且避免了數(shù)值方法模擬陷阱效應(yīng)的巨大計(jì)算量.

作 者： 楊林安 張義門(mén) 于春利 張玉明   作者單位： 西安電子科技大學(xué)微電子研究所,西安,710071  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(2)  分類(lèi)號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 碳化硅   陷阱效應(yīng)   金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管   深能級(jí)陷阱   界面態(tài)  

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