生長條件和退火對(duì)金剛石薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響

提出一種分析微波等離子體化學(xué)氣相沉積工藝條件對(duì)金剛石薄膜的組成和光學(xué)性質(zhì)影響的方法.采用紅外橢圓偏振光譜儀來分析Si襯底上金剛石薄膜的組成和光學(xué)性質(zhì),研究微波等離子體化學(xué)氣相沉積法生長條件和退火工藝對(duì)金剛石薄膜的消光系數(shù)和折射率的影響.實(shí)驗(yàn)表明金剛石薄膜中存在C-H、C=C、O-H和C=O鍵,生長條件對(duì)薄膜中C-H和C=C鍵的含量及薄膜的折射率影響較大;薄膜經(jīng)過退火后薄膜的光學(xué)性質(zhì)得到明顯改善.

作 者： 馬哲國 夏義本 王林軍 方志軍 張偉麗 張明龍   作者單位： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海,201800  刊 名： 光學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA  年，卷(期)： 2003 23(8)  分類號(hào)： O484.1  關(guān)鍵詞： 薄膜光學(xué)   微波等離子體化學(xué)氣相沉積   金剛石薄膜   光學(xué)性質(zhì)   紅外橢圓偏振光譜  

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