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中國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性研究

時間:2023-05-01 16:13:59 數(shù)理化學論文 我要投稿
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中國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性研究

從理論上和實驗上論證了我國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性閾值流強比國內(nèi)外同類加速器高出近百倍的原因.指出這是由于真空室中清除電極產(chǎn)生的八極矩分量使得粒子自由振蕩頻率有一個分散性,提供了足夠的朗道阻尼的結果.

中國800 MeV電子儲存環(huán)的頭尾不穩(wěn)定性研究

作 者: 陳龍康 王筠華 孫葆根 金玉明   作者單位: 陳龍康(深圳大學理學院,深圳518060)

王筠華,孫葆根,金玉明(中國科技大學國家同步輻射實驗室,合肥230029) 

刊 名: 深圳大學學報(理工版)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)  年,卷(期): 2003 20(4)  分類號: O572.211 TL501  關鍵詞: 頭尾不穩(wěn)定性   清除電極   頻率散度  

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