微小晶體生長過程的光學(xué)診斷實(shí)驗(yàn)研究

將光學(xué)干涉技術(shù)與顯微技術(shù)相結(jié)合,應(yīng)用計(jì)算機(jī)技術(shù)、圖像處理技術(shù)發(fā)展形成一種實(shí)時細(xì)觀診斷的實(shí)驗(yàn)方法--光學(xué)細(xì)觀干涉診斷技術(shù);實(shí)時觀測了KCl晶體在容積為3mm×3mm×4.5mm的生長池內(nèi)的結(jié)晶過程,得到了該過程的晶體的表面形貌、生長速率、以及晶體生長尺寸與時間、濃度與時間的定量的關(guān)系,觀測到由重力引起的浮力對流現(xiàn)象,它直接影響晶體的生長.實(shí)驗(yàn)表明重力對晶體生長形態(tài)有很大的影響;生長速率與濃度存在很大的依賴關(guān)系.

作 者： 段俐 康琦 束繼祖   作者單位： 中國科學(xué)院力學(xué)研究所國家微重力實(shí)驗(yàn)室,北京,100080  刊 名： 力學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA MECHANICA SINICA  年，卷(期)： 2002 34(3)  分類號： O3  關(guān)鍵詞： 濃度場   傳質(zhì)過程   晶體生長   干涉測量  

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